다양한 위협 요인으로부터 회로 보호하기 (Circuit Protection)
2017-04-10 08:00~14:00
Texas Instruments / 문성민 대리
전*석2017-04-11 오전 10:40:50
전류 센싱하여 로드를 제한한다 하면.. 향후 STEP DOWN 등 레귤레이터와 일체형이 나올 가능성이 있을까요? 서킷 구성 상 문제가 없을 것 같습니다.TI12017.04.11
네 가능성이 있을 것으로 보입니다만 현재는 일체형 제품은 없는 것으로 알고 있습니다.공*철2017-04-11 오전 10:40:20
Abnormal상태를 인식하고 실제 Protecion이 일어날때가지 지연시간은 어느정도 인가요? 이사이에 Device가 파괴될 가능성은 없나요?TI12017.04.11
Output 에 Short 가 발생하였을때에 응답하는 시간은 수백 ns 수준입니다. IC 의 Abs max 를 넘지 않는 범위내에서는 Device 가 컨트롤 가능합니다정*균2017-04-11 오전 10:40:06
어떤 경우에 overload가 주로 발생하는가요?TI12017.04.11
Output cap 이 클 경우에 output 전원에 파워가 인가되는 순간 최초에 설계되었던 전류보다 더욱 큰 Inrush 가 튀는 것이 흔하게 볼 수 있습니다김*빈2017-04-11 오전 10:40:04
TPS24XX 시리즈는 전원라인용으로 사용하는 디바이스 인가요?TI12017.04.11
사용용도에 맞춰서 사용하실 수 있습니다. 하지만 TPS24xx 시리즈의 경우 20V 수준까지 커버하는 제품들이 많기에 배터리 기반과 같은 전압레벨이 낮은 제품에서는 전원라인으로도 많이 사용이 됩니다이*학2017-04-11 오전 10:39:52
외부 inrush를 가장 효율적으로 차단할 수 있는 방법이 무엇인가요?TI12017.04.11
inrush current는 soft-start로 제어하는 것이 가장 좋습니다.이*혁2017-04-11 오전 10:39:44
기존 퓨즈 대비 e퓨즈 가격은 어떻게 되나요?TI12017.04.11
기존 퓨즈 대비 e퓨즈가 조금 더 비싼 것으로 알고 있습니다. 하지만 기존 퓨즈는 재사용이 불가능하나 eFuse는 반영구적 사용이 가능합니다.이*민2017-04-11 오전 10:38:07
efuse의 경우 혹여 fet가 파괴되면 in과 out은 open되는 것이 보장되나요?TI12017.04.11
해당 부분은 보장이 되지 않습니다공*철2017-04-11 오전 10:37:38
Device가 손상 되었을때 원인이 EOS인지 ESD인지 구별(분석)하는 방법이 있나요?TI12017.04.11
이미 IC가 데미지를 입은 후에는 판별하기가 쉽지 않습니다. 그러나 IC가 육안으로 보일만큼 크게 손상을 입었을 경우는 EOS일 확률이 높습니다.이*혁2017-04-11 오전 10:37:30
10A 이상 제품도 있나요?TI12017.04.11
네 있습니다. 전류가 매우 큰 경우에는 외부 FET를 사용하는 controller type을 사용하시면 좋을 것으로 보입니다.김*호2017-04-11 오전 10:37:13
[질문] 내장되어 있는 FET 와 외장형 FET 를 동시에 충족하는 하이브리드형 FET 는 제품이 있을까요?TI12017.04.11
없는 것으로 보이나 확인은 해 보아야할 것으로 보입니다. 이메일 남겨주시면 답변 드릴 수 있도록 하겠습니다.
