Wolfspeed SiC를 이용한 미래형 EV, 그린에너지, 전력시스템 설계 및 구현
2022-01-18 10:30~12:00
Wolfspeed / 이태훈 부장, 함정호 부장
우*민2022-01-18 오전 11:16:11
3Pin과 4Pin SiC MOSFET의 차이점은 무엇인가요?Wolfspeed12022.02.04
3핀과 4핀의 외관은 동일(TO-247)하나, 핀간격은 다릅니다. 4핀의 추가된 핀은 KS(Kelvin Source)로 불립니다. 소스와 드라이버의 GND를 직접연결하여 게이트루프(스위칭루프)를 최소화하며, 소스단 패턴의 기생인덕턴스 영향을 받지 않도록 하여, Ids의 di/dt에 의한 Vds의 voltage drop을 억제함으로 훨씬 낮은 스위칭 로스를 가능케합니다. 감사합니다.김*철2022-01-18 오전 11:14:52
전력반도체의 소형화는 어디까지 발전하였는지요?권*주2022-01-18 오전 11:14:35
SiC 관련 고주파 스위칭에 따라 효율 증가, 사이즈 감소 다 좋은데요...저전압에서는 아무 문제 없지만, 고전압 일수록 스위칭 노이즈 캔슬링 제거 방법론이 실무에 많은 도움이 될 듯 합니다. AC 380에 링크 680V 전후 잡아도 조금 문제가 되네요.kyou***2022-01-18 오전 11:13:07
Thanks so muche4ds2022.01.18
감사합니다. 곧 재방송이 시작되니 놓치신 부분을 다시 들어보세요^^ (공지사항) 질문을 많이 해주셔서 다소 딜레이가 될 수 있으나 최대한 빠르게 답변 드리겠습니다. 혹시 웨비나가 종료된 시점까지 답변을 받지 못하셨더라도, 순차적으로 답변을 드리는 중이니 추후 해당 방송창 또는 마이페이지에서 확인이 가능합니다. 감사합니다^^권*주2022-01-18 오전 11:12:08
고전압스위칭 할 수록 커먼모드 노이즈가 유입되는 것인지 의도치 않은 전력 전달이 발생 하는데요. 게이트가 실제로 열리는것 같지는 않고...SiC Ciss 때문인지...관련 대책설계론이 있나요? 관련 예 AC/DC - LLC 로 구성 될 때 AC/DC만 동작해서 LLC 1차 링크 전압 만들고, LLC를 구동 하지 않더라도 LLC 2차측에 전압이 보일 수 있습니다.Wolfspeed12022.02.04
이 경우는 고려할 사항이 여러가지일것으로 보입니다. 시스템상에서 스위칭루프상, 파워루프상, 컨트롤 및 시그널루프상의 커먼모드 노이즈 및 디퍼런셜모드 노이즈를 분석할 필요가 있겠습니다. 이밖에 기생캐패시터, 리키지 인덕턴스, 리키지 커런트 등 다른 요소들도 고려할 대상으로 보입니다. 감사합니다.limy***2022-01-18 오전 11:11:51
좋은 내용 감사합니다. 향후에는 필드 어플리케이션에 적용사례 및 최적 설계에 대한 세부기술교육이 마련되었으면 합니다. 오늘 감사합니다.이*수2022-01-18 오전 11:11:28
좋은 발표를 해 주셔서 감사합니다 ^^e4ds2022.01.18
감사합니다. 곧 재방송이 시작되니 놓치신 부분을 다시 들어보세요^^ (공지사항) 질문을 많이 해주셔서 다소 딜레이가 될 수 있으나 최대한 빠르게 답변 드리겠습니다. 혹시 웨비나가 종료된 시점까지 답변을 받지 못하셨더라도, 순차적으로 답변을 드리는 중이니 추후 해당 방송창 또는 마이페이지에서 확인이 가능합니다. 감사합니다^^오*정2022-01-18 오전 11:11:28
[질문] SiC MOSFET의 차별화된 특징은 무엇인가요?이*현2022-01-18 오전 11:11:18
단전원 Gate driving voltage 제품은 없는건가요?Wolfspeed22022.01.18
토폴로지가 토펨폴이나 하프브릿지가 아니면 단전원을 사용하실수 있습니다. 감사합니다.이*수2022-01-18 오전 11:11:05
질문] Wolfspeed SiC를 사용하여 미래형 EV를 설계하고 구현하려는 경우 중요하게 고려해야 할 요소들에 대해서 문의드립니다
