MOSFET의 선정 및 사용 방법

2024-02-01 10:30~12:00

ROHM / 태현호 연구원

  • 김*열2024-02-01 오전 11:14:03

    재방송이 있어서 매우 좋네요.
  • 이*진2024-02-01 오전 11:11:29

    MOSFET 이 바이폴라TR 대비 장점이 많은데요, 아직도 바이폴라TR 사용을 하는 경우는 어떤 케이스들인지요?
  • ROHM22024.02.01

    사용할 수 있는 전력 범위가 유하거나 고속 스위칭 동작이 필요 없는 경우, 가격 측면을 고려하여 바이폴라TR을 선정하시는 고객분도 계십니다.
  • 정*용2024-02-01 오전 11:09:53

    너무 늦었네요.. 쩝..
  • e4ds2024.02.01

    놓치신 방송 내용이 있다면 오늘 이후 e4ds.com에서 다시보기 영상을 시청해보세요! 참석해주셔서 감사합니다.
  • 박*만2024-02-01 오전 11:09:33

    ESD 내성을 강화하기 위해선, GS 에 ESD(DIODE) 소자를 추가하고 GD 에도 DIODE 를 추가하면 도움이 되겠죠?
  • ROHM22024.02.01

    보호 소자를 추가하는 것을 말씀 주신 것처럼 ESD 내성 강화에 도움이 됩니다.
  • 박*동2024-02-01 오전 11:06:58

    발표자로의 SOA 라인에서 디레이팅할 때 기준은 Ta 25 도 기준에서 junction 온도 Tj 100 도를 기준 으로 하였습니다. Ta와 Tj 가 다르다면 디레이팅할 때 junction 온도에 따른 파워 손실 비율이 아닌 Ta에서의 파원 손실 비율을 참조해야 하지 않는지요?
  • ROHM22024.02.01

    세미나 자료는 예시로 제공 드리는 것으로, 폐사 제품을 사용하실 경우 Ta 기준 derating graph의 측정 문의가 가능합니다.
  • 이*진2024-02-01 오전 11:06:21

    하나의 PKG에 여러개의 MOSFET 소자를 넣은 제품도 있는지요?
  • ROHM22024.02.01

    Dual MOSFET의 경우 Nch이나 Pch를 각각 두 개씩 구성하거나, Nch + Pch 하나씩을 내부에 구성하고 있습니다.
  • 조*희2024-02-01 오전 11:05:37

    N-FET를 사용하여, Level Shift 를 구성 사용하려는데, (3.3V <->5V) 사용가능한 제품이 있을까요?
  • ROHM12024.02.01

    고객 사용 조건에 따라 내압이 맞는 NMOS 제품을 추천 드립니다.
  • 서*영2024-02-01 오전 11:05:11

    수고하셨습니다
  • 이*진2024-02-01 오전 11:05:06

    업무때문에 중간에 놓친 부분은 재방송 보겠습니다. 감사합니다. 수고하셨습니다.
  • 김*수2024-02-01 오전 11:04:52

    수고하셨습니다.