MOSFET의 선정 및 사용 방법
2024-02-01 10:30~12:00
ROHM / 태현호 연구원
박*동2024-02-01 오전 10:43:54
SOA 영역에서 Vds 0.1~10V 사이에 녹색선(2) 와 붉은선(1)은 어떤의미 인가요? 실제 흘릴 수 있는 전류는 붉은 선인가요?ROHM22024.02.01
붉은선(1)은 DC 전류인 ID가 기준이 되며, 녹색선(2)은 Pulse 전류인 IDP가 기준이 됩니다. 간단히 설명하면 지속적으로 흘리는 전류는 붉은색 기준으로, 순간적으로 발생하는 서지로는 녹색선 기준으로 안전 동작 영역이 정의 됩니다.윤*호2024-02-01 오전 10:43:48
ROHM MOSFET는 스위칭 속도 및 소비전력 측면에서 타사 MOSFET 대비 각각 어느 정도 우세한지 알고싶습니다.ROHM22024.02.01
해당 사항에 경우 메이커 별 큰 차이가 나는 항목이 아니기 때문에 우열을 가리기는 어렵습니다. 다만, 사용하고 계시는 기존 MOSFET 정보를 제공 주신다면 대체 제안 가능한 제품과의 사양 비교표를 작성드리는 방향으로는 대응 가능합니다.김*민2024-02-01 오전 10:43:36
[질문] 바이폴라 트랜지스터에서 ON 저항에 해당되는 부분은 어떤 팩터인가요?ROHM22024.02.01
BJT는 turn on 되었을 때 저항이 아닌 다이오드와 equivalent 하기 때문에, on 저항이 아닌 전압 강하로 전력 손실이 책정됩니다.장*제2024-02-01 오전 10:43:13
SiC 와 FET는 정격을 Rdson으로 정의 하는데 IGBT와 TR은 정격전류로 정의 하는 것 같은데 , 저의 경우 정격 전류가 좀 친숙 한 편입니다. FET에서 정격을 Rdson으로 정의 하는 특별한 이유가 있나요?ROHM12024.02.01
일반적으로 BJT의 경우 VCE * I 로 손실을 계산하고 전류가 포화될 경우 저항이 증가하게 됩니다. FET의 경우 전류와 저항으로 계산하게 되어 Rdson이 주로 쓰입니다.최*은2024-02-01 오전 10:42:47
[질문] MOSFET에서 대전력을 취급하는 경우에 중요한 특성은 어떤게 있나요?ROHM22024.02.01
고전력 환경에서는 VDSS 및 ID의 내압을 주로 고려해 주십시오.이*진2024-02-01 오전 10:40:24
재방송이나 다시 보기 지원되는지요?e4ds2024.02.01
오늘 웨비나는 본방송 종료 후 이어서 재방송이 진행됩니다. 다시보기는 오늘 이후 e4ds.com에서 확인하실 수 있습니다. 감사합니다.김*민2024-02-01 오전 10:40:23
[질문] TR 선택 시 VCEO 보다 우서되어야 하는 스펙이 있을까요?ROHM22024.02.01
트랜지스터 선택에 가장 우선시 되어야 하는 사양은 말씀하신 것과 같이 VCEO가 됩니다.서*영2024-02-01 오전 10:40:08
답변감사합니다공*철2024-02-01 오전 10:39:35
고속스위칭 제품은 Qg가 작은게 좋다고 하는데..Qg가 작을때 단점이 있나요?ROHM22024.02.01
사양적인 디메리트는 없습니다만, Qg값이 높은 제품에 비해 높은 가격대를 형성하는게 단점이 되겠습니다.백*인2024-02-01 오전 10:39:00
N-ch FET 사용 시 외부 노이즈로 인해 오동작하는 경우가 있습니다. Vgs 쪽으로 영향을 받는것 같은데, 이런 문제에 대한 대책이 있는지 문의드립니다.ROHM22024.02.01
말씀 주신 정보만으로는 노이즈 유입원을 특정드리기 어렵습니다. 상세 내용을 폐사 영업 창구를 통해 문의주신다면 사용 회로 환경에 맞는 기술 지원을 드릴 수 있도록 하겠습니다.
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