SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법
2024-09-05 10:30~12:00
ROHM / 이성진 연구원
SiC MOSFET은 고전압 회로에서도 고속 스위칭 특성을 충분히 발휘할 수 있는 우수한 디바이스로, 다양한 회로에서 사용이 확대되고 있습니다.
고속 스위칭 동작 시에는 노이즈 등 여러가지 문제가 발생하기 쉽기 때문에 설계 시 주의가 필요합니다. 이러한 설계 상의 과제를 해결하기 위해 고정밀도의 시뮬레이션이 중요합니다.
로옴은 고객 측의 설계를 서포트하기 위해, 별도의 프로그램을 인스톨하지 않고도 웹상에서 신속하게 시뮬레이션 가능한 ROHM Solution Simulator와, 다양한 설계 서포트툴을 제공하고 있습니다.
이번 웨비나에서는 SiC MOSFET의 스위칭 파형 구현에 포커스를 맞추어, 설계시의 과제를 해결할 수 있는 시뮬레이션 방법에 대해 소개하겠습니다.
처음으로 회로 설계를 시작하시는 분이나, 설계 시 다양한 문제로 인해 고민하시는 분들에게 적합한 내용입니다.
많은 관심 부탁드립니다.
감사합니다.
로옴세미컨덕터코리아 테크니컬센터
이성진 연구원
웨비나 댓글
- 16 Comments
- 김*홍 (2024-09-05 오전 10:57:55)
- 시뮬레이텨 활용을 해봐야 겠네요
- 김*홍 (2024-09-05 오전 10:57:36)
- 유익한 정보 감사합니다.
- 김*홍 (2024-09-05 오전 10:31:29)
- 알찬 내용 전달 부탁드리며 쉬운 설명 또한 부탁드립니다
- 한*웅 (2024-09-05 오전 10:19:31)
- 좋은 강의 잘 부탁 드리겠습니다.
- 권*민 (2024-09-05 오전 10:07:51)
- 오늘 유익한 강의 잘 부탁드립니다. 감사합니다.
- 이*진 (2024-08-30 오전 8:24:16)
- 유익한 내용 기대합니다
- 조*익 (2024-08-28 오전 10:36:23)
- 감사합니다
- 강*성 (2024-08-23 오전 8:59:34)
- 유익한 내용 기대합니다
- 이*재 (2024-08-16 오전 9:20:03)
- ansys tool로 모델링 파일도 공유가능한지도 확인 부탁드립니다.
- 이*재 (2024-08-16 오전 9:19:01)
- SiC의 사용을 통한 일반적인 효용성포함하여 실제 응용된 사례 위주의 내용을 공유해주셨으면 유익할듯합니다.
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