SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법
2024-09-05 10:30~12:00
ROHM / 이성진 연구원
지*호2024-09-05 오전 11:27:34
감사합니다.e4ds2024.09.05
참석해주셔서 감사합니다^^최*휴2024-09-05 오전 11:26:54
세미나 많은 도움이 되었습니다. 감사합니다.e4ds2024.09.05
참석해주셔서 감사합니다 ^^김*열2024-09-05 오전 11:26:30
좋은 내용과 알찬 정보에 감사드립니다. 모두 수고하셨습니다.e4ds2024.09.05
유익한시간 되셨길 바랍니다! 감사합니다.김*종2024-09-05 오전 11:25:49
수고하셨습니다.e4ds2024.09.05
참석해주셔서 감사합니다. 다음 웨비나에서 다시 만나요!문*진2024-09-05 오전 11:25:07
좋은내용 설명, 답변 감사합니다^^e4ds2024.09.05
참석해주셔서 감사합니다. 앞으로도 많은 관심과 참여 부탁드립니다^^최*완2024-09-05 오전 11:24:53
감사히 잘 배웠습니다. ^^e4ds2024.09.05
참석해주셔서 감사합니다^^ 유익한 시간 되셨길 바랍니다!최*완2024-09-05 오전 11:24:29
하드웨어에서요.ROHM12024.09.05
전압 측정 방법에 대해서는 문제가 없을 것으로 생각됩니다. 전류의 경우 패턴을 끊어서 측정하거나, wire 형태로 된 전류 Probe를 사용하여, 패턴 부근에 hole을 뚫어 전류를 측정합니다최*완2024-09-05 오전 11:24:15
고맙습니다. 실제 회로에서는 어떻게 측정/추정할 수 있는지요?ROHM12024.09.05
시뮬레이션의 결과만 확인하기 보다는 실제 보드 상에서도 전압 전류 파형을 측정하여, 시뮬레이션 결과와 비교하고, 경우에 따라서는 시뮬레이션의 시정수를 수정하여 매칭하여 분석하고 있습니다.지*호2024-09-05 오전 11:20:00
[질문]SiC 제품 파워 디바이스와 구동 디바이스 선택 시, 사전 정확한 예측을 위한 Web 활용 방안은 어떻게 되는지요? 단종 등 교체 시에 기존 부품을 대체하는 방안도 지원이 가능한지요?김*식2024-09-05 오전 11:19:16
SiC MOSFET를 적용한 회로설계 적용시 소자의 고속 스위칭으로 인한 고조파 잡음지수와 열생성 저감 방안이 궁금합니다.ROHM12024.09.05
고속 스위칭에 따른 노이즈 문제는 원인이 다양하므로, 단정지어서 말씀드리기 어렵습니다. 다만, Gate driver의 출력부 GND 패턴을 보강하여, 노이즈 문제를 해결한 사례는 있습니다. 정확한 기술 대응을 필요로 하신다면, 폐사 영업 창구를 통해 문의 주시면 대응해 드리도록 하겠습니다.
