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SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법

2024-09-05 10:30~12:00

ROHM / 이성진 연구원

웨비나정보 웨비나Q&A

  • 정*균2024-09-05 오전 10:57:01

    세미나 감사드립니다.

  • 강*성2024-09-05 오전 10:56:58

    유익한 내용 감사합니다. 기술적 내용(예시)는 없고 단순 소개 였네요

  • 차*석2024-09-05 오전 10:56:26

    로옴은 SiC 전용 게이트드라이버 제품이 있나요?

  • ROHM22024.09.05

    Gate Driver 제품군 홈페이지 입니다. 참고 부탁드립니다. https://www.rohm.co.kr/products/power-management/gate-drivers

  • 정*균2024-09-05 오전 10:56:18

    [질문]PC에서 디자인된 회로를 시뮬레이션할수 있는 무료프로그램이 있는지 궁금합니다.

  • ROHM12024.09.05

    웹이 아닌 PC에 저장된 툴로는 Simetrix를 사용하고 있습니다만, Free version의 경우 회로 부품 수나 노드 수 제한이 있습니다. 따라서, 복잡한 회로를 무료로 시뮬레이션 할 수 있는 툴은 없는 것으로 알고 있습니다.

  • 김*민2024-09-05 오전 10:56:04

    [질문] 게이트 서지 보호 회로도 웹사이트에서 확인이 가능한가요?

  • ROHM22024.09.05

    네, 로옴 홈페이지에 접속하시면 게이트-소서 서지 전압을 막기위한에 대한 내용이 있습니다. 링크 참고 부탁드립니다. https://techweb.rohm.co.kr/product/power-device/sic/

  • 정*균2024-09-05 오전 10:55:09

    [질문]제4대 Sic제품은 이전제품에 비해서 어떤부분이 달라지는지요?

  • ROHM32024.09.05

    4세대 제품은 단락 내량 시간을 개선하여, 업계 최고 수준의 저 ON 저항을 실현했습니다. 관련 내용은 링크를 참조해 주세요. https://www.rohm.co.kr/products/sic-power-devices/sic-mosfet#supportInfo

  • 문*진2024-09-05 오전 10:54:29

    물리적으로 내 외부 열에 대해 각 부픔이라 회로에 안정성을 유지하는대 있어 Sic 제품에 내구성, 안정성은 타 밴더에 비해 어떤 차별점이 있는지 궁금합니다.

  • ROHM12024.09.05

    로옴에서는 SiC의 Substrate부터 모든 공정을 직접 하고 있으므로, 디바이스의 신뢰성, 내구성, 공급 안정성 측면에서, 우수하다고 생각하고 있습니다.

  • 최*섭2024-09-05 오전 10:54:26

    sic mosfet에서 빠른 턴오프를 위해 negative bias를 구성해야된다고 하였는데 4세대 제품에도 구성을 해야되는건가요?

  • ROHM22024.09.05

    Self Turn-on현상을 막기위해 기존에 Negative bias를 구성해야 했습니다. 현재 로옴 SiC 4세대 제품의 솔루션은 Negative bias 인가 필요가 없습니다.

  • 장*수2024-09-05 오전 10:54:09

    [질문] SC 보호 할 때, 전류 과도 상태를 turn off 구간만 해석 하였는데, 실제는 short current 를 포함 하여 시간을 설정(2us) 해야 하지 않나요?

  • ROHM12024.09.05

    네 맞습니다. SC 보호 시에 디바이스에 인가되는 손실을 분석하기 위해서는, 전체 구간(Ex. 2us)에 대한 파형 분석이 필요하다고 생각됩니다.

  • 최*우2024-09-05 오전 10:54:08

    Rds(on) 저항이 낮앚지면서 스위칭 손실이 낮아지면 EMI 측면에서도 유리한 부분이 있나요?

  • ROHM22024.09.05

    스위칭 손실이 낮아지며 발열이 개선됩니다. EMI과 스위칭 손실간의 큰 상관관계는 없습니다.
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