SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법
2024-09-05 10:30~12:00
ROHM / 이성진 연구원
조*영2024-09-05 오전 10:47:39
[질문]1.디바이스 특성상 발생할 수 있는 다양한 품질문제도 예상되는데, 적용하는 과정에서 발생될 수 있는 문제들(실행,Noise등)과 그 해결사례도 궁금합니다. 2.SiC MOSFET 디바이스에 대한 성능이나 영향도를 시뮬레이션 측정하는 별도의 툴이 있는지와 적용시 효과도 궁금합니다. 3. 버전 업그레이드시 어떤형태로 설치 또는 확장되는지도 궁금합니다.ROHM12024.09.05
1) 디바이스 적용 시에, 발생하는 품질 문제는 폐사의 QA부서와 협력하여 대응해 드리고 있으며, 상세한 내용은 고객사 기밀 사항이 포함되어 있어, 이 자리에서 설명드리기는 어렵습니다. 2) SiC-MOSFET의 시뮬레이션 툴은 Simetrix, PLECS, Flotherm, Pspice 등을 활용하고 있습니다. 3) 시뮬레이션 툴의 업그레이드는 각 메이커에서 주관하므로, 해당 메이커 툴에 문의를 부탁드리겠습니다.최*은2024-09-05 오전 10:46:04
[질문] 4세대 제품의 스위칭 속도와 리커버리 전류와의 관계는 어떻게 개선 되었나요?ROHM12024.09.05
4세대 제품이 되면서, Chip 미세화 공정을 통해 스위칭 특성이 상당부분 개선되었습니다최*휴2024-09-05 오전 10:45:05
[질문] 열유동 시뮬레이션도 가능한가요?ROHM22024.09.05
소개드린 Rohm Solution Simulator에서 열유동 시뮬레이션은 제공하고 있지 않습니다.박*근2024-09-05 오전 10:45:01
스위칭 손실 감소로 히트싱크 사이즈를 어느 정도 줄일 수 있나요?ROHM12024.09.05
고객 세트의 동작 조건이나, 스위칭 손실의 정도에 따라 크게 달라지는 것이므로, 현 시점에서 답변을 드리기는 어렵습니다. 이에 대한 해석으로 스위칭 손실 시뮬레이션과 열 시뮬레이션을 실시하여, 히트싱크 사이즈 변경에 따른 디바이스 정션 온도 차이를 확인할 수 있습니다.김*민2024-09-05 오전 10:44:52
[질문] 소자 사이즈가 작을수록 내부 게이트 저항은 커지나요?ROHM12024.09.05
게이트 기생 저항의 경우, Gate 부분 연결에 따라 그 크기가 달라지는 것으로 알고 있습니다.이*준2024-09-05 오전 10:44:34
wide bandgap 은 SiC diode에 대한 높은 forward voltage 를 야기하고, 결국 forward voltage drop에 대한 우려를 낳지는 않나요ROHM12024.09.05
sic-diode에 대한 문의이시라면, 말씀하신대로 높은 VF를 물질적 특성으로 가지고 있으므로, 쇼트키 배리어 다이오드 구조로 그 VF를 저감하고 있습니다. SiC-MOSFET의 Body diode가 문제가 되는 경우에는 외부에 SiC-SBD를 추가하시는 것으로 안내하고 있습니다.최*휴2024-09-05 오전 10:44:16
[질문] 회로기판 설계시 IC의 라이블러리는 PADS 로 불러 올 수 있나요?ROHM12024.09.05
가능한 것으로 알고 있습니다만, ORCAD 전문 대리점측에 확인을 부탁드리겠습니다.최*섭2024-09-05 오전 10:43:40
TO-247-4L의 Lead 인덕턴스 값은 대략 얼마라고 생각하면 될까요?ROHM12024.09.05
각 디바이스에 따라 달라질 수 있으므로, 폐사 영업 창구를 통해 문의 부탁드리겠습니다.장*수2024-09-05 오전 10:43:37
반갑습니다.최*은2024-09-05 오전 10:43:16
[질문] 게이트 - 소스 전압이 threshold 전압 Vth 를 초과하면 어떻게 되나요?ROHM22024.09.05
게이트-소스 전압이 Vth를 초과할 경우 채널이 On 되어 드레인-소스 사이 path가 형성되기 시작합니다.
