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SiC MOSFET 스위칭 파형의 정확한 시뮬레이션 방법

2024-09-05 10:30~12:00

ROHM / 이성진 연구원

웨비나정보 웨비나Q&A

  • 최*은2024-09-05 오전 10:37:02

    [질문] 채널 저항 측면에서 SiC MOSFET 는 드리프트 층 저항이 Si-MOSFET 보다 낮지 않나요?

  • ROHM22024.09.05

    네, SiC의 경우 Si에 비하여 드리프트 층 저항이 낮습니다. 저항 감소로 도통 손실을 줄여 발열을 제어하기 유리합니다.

  • 이*우2024-09-05 오전 10:36:12

    1. 기존 MOSFET을 구성하고 있는 물질과 SiC MOSFET을 구성하고 있는 물질 차이가 있을까요? 2. SiC 물질을 사용함으로 인헤 Rds on이 낮다라는 의미인지 문의 드립니다.

  • ROHM22024.09.05

    1. 네 Si와 SiC는 다른 물질입니다. 절연 파괴 강도가 SiC가 10배 높습니다. 2. 절연 파괴 강도가 높아 동내압 Si 대비 단위 면적당 on저항이 낮은 제품을 실현 가능합니다.

  • 김*민2024-09-05 오전 10:35:49

    [질문] SiC MOSFET 와 SJ-MOS 를 비교하면 ON 저항률은 어떻나요?

  • ROHM12024.09.05

    같은 chip size로는 On저항이 크게 감소되었습니다.

  • 김*민2024-09-05 오전 10:35:22

    안녕하세요

  • 강*성2024-09-05 오전 10:35:10

    SiC의 기지국이라 함은 어느쪽에 사용을 말하는건가요? 정류기? Core 장비 DU RU ??

  • ROHM22024.09.05

    네, 정류기 측 고내압 MOSFET 단을 상정합니다.

  • 최*은2024-09-05 오전 10:34:24

    [질문] 게이트 구동 전압 범위 개선 목표가 있나요?

  • ROHM12024.09.05

    게이트 구동 전압에 대한 고객의 니즈를 반영하여, 4세대부터는 15V~18V에서 On이 가능하도록 출시되었습니다.

  • 강*성2024-09-05 오전 10:34:07

    SiCristal 사를 인수해서 SiC 라인업을 구축한 것이죠?

  • ROHM12024.09.05

    네 맞습니다.

  • 강*성2024-09-05 오전 10:33:28

    SiC 8인치 웨이퍼까지 양산 중인건가요? 계획인가요? Rohm SiC 양산 웨이퍼 사이즈가 궁금합니다.

  • ROHM12024.09.05

    현재 6인치 웨이퍼로 양산하고 있습니다. 추후 웨이퍼 사이즈를 키울 가능성은 있습니다.

  • 김*민2024-09-05 오전 10:32:49

    [질문] SiC MOSFET 의 경우 내압이 얼마까지 라인업이 있는지요?

  • ROHM22024.09.05

    1200V 까지 양산제품 라인업이 있습니다.

  • 이*재2024-09-05 오전 10:32:10

    안녕하세요.

  • e4ds2024.09.05

    안녕하세요! 유익한 시간 되시기 바랍니다^^
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